گرافن یک نیمه هادی بدون گاف انرژی است که برای استفاده از آن در کاربردهایی نظیر نانو الکترونیکی، ایجاد یک شکاف محدود در نوار انرژی و در نقاط دیراک لازم است. در اینجا با استفاده از مدل تنگ بست قوی تاثیر کرنش در دو جهت زیگزاگ و دسته صندلی به بررسی انتقال الکترونهای شبه دیراک جرمدار و بدون جرم از سد پتانسیل یگانه و دوگانه در گرافن پرداخته ایم. مشخص شد وقتی الکترون در فرود عمودی و غیر عمودی باشد، احتمال انتقال، تابع نوسانی از پارامترهای تونل زنی مثل انرژی یا ارتفاع سد است و در نقاط تشدید احتمال عبور برابر یک است
