در این پژوهش تلاش گردید تا با بهینه سازی برخی از فاکتورهای آزمایشگاهی، لایههای نازکی از نانوبلورهای نیمرسانای کادمیم روی سولفید آلاییده شده با کبالت با تک قله گسیل مربوط به ترازهای انرژی آلاییدگی، به روش انباشت حمام شیمیایی تهیه گردند. نتایج نشان دادند که قله گسیل شدید در حدود 530 نانومتر را میتوان به بازترکیب حاملین بار از طریق ترازهای کبالت (در گاف انرژی) نسبت داد. همچنین، الگوهای پراش پرتوی ایکس لایههای نازک Co:CdZnS نشان دادند که با افزایش دمای لایه نشانی، اندازهی نانوبلورهای تشکیلدهنده لایهها بزرگتر میشود. کیفیت مناسب خواص سطح لایههای تهیه شده در دماهای لایه نشانی مختلف، با استفاده از تصویربرداریِ میکروسکوپ الکترون روبشیِ- گسیل میدانی اثبات گردید. خواص نشری این لایهها نشان میدهند که این لایهها پتانسیل بسیار مناسبی برای کاربرد در دستگاههای اپتوالکترونیکی نانو مقیاس دارند.
